Számítástechnika
Sulaki - 2016-10-21
2017 első felében bemutatkozik a világ első olyan fogyasztói terméke,
A Samsung bejelentette, hogy az iparágban elsőként megkezdte a 10 nanométeres (nm) technológiájú egylapkás rendszerekre (System-on-Chip, SoC) épülő termékek tömeggyártását.
Az piac első FinFET mobilalkalmazás-processzorának 2015 januári sikeres tömeggyártását követően a Samsung újabb termékekkel erősíti tovább piacvezető pozícióját a tömeggyártásra szánt csúcstechnológia területén.
„Az iparágban elsőként kezdjük meg a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását, amely jól demonstrálja a fejlett feldolgozási technológiák területén szerzett vezető pozíciónkat” – jelentette ki Jong Shik Yoon ügyvezető alelnök, a Samsung Electronics Félvezetőgyártó üzletágának vezetője. – „Továbbra is mindent megteszünk a skálázási technológiák innovációjának érdekében, hogy vásárlóink számára kiemelkedő, teljes körű megoldásokat nyújthassunk.”
A Samsung új 10 nanométeres FinFET technológiája (10LPE) olyan fejlett,
A Samsung első generációs 10 nanométeres technológiájának (10LPE) bemutatását követően a teljesítménynövekedést jelentő második generáció (10LPP) tömeggyártása a tervek szerint 2017 második felében indul. A széles körben alkalmazható származékos technológiák alkalmazásával a vállalat továbbra is vezető pozíciójának erősítésére törekszik, hogy kielégítse a széleskörű használat iránti igényt.
Az ügyfelekkel és a partnerekkel való szoros együttműködés keretein belül a Samsung célja emellett egy olyan masszív 10 nanométeres félvezetőgyártói ökoszisztéma létrehozása, amely többek között kiterjed a referenciaáramlás-ellenőrzésre,
A termelési szintű tervezőkészletek (PDK) és
A 10 nanométeres technológiájú egylapkás rendszerek a következő év elejétől kerülnek felhasználásra a digitális eszközökben, és 2017 folyamán várhatóan széles körben is elterjednek.
Az piac első FinFET mobilalkalmazás-processzorának 2015 januári sikeres tömeggyártását követően a Samsung újabb termékekkel erősíti tovább piacvezető pozícióját a tömeggyártásra szánt csúcstechnológia területén.
„Az iparágban elsőként kezdjük meg a 10 nanométeres FinFET technológia tömeggyártását, amely jól demonstrálja a fejlett feldolgozási technológiák területén szerzett vezető pozíciónkat” – jelentette ki Jong Shik Yoon ügyvezető alelnök, a Samsung Electronics Félvezetőgyártó üzletágának vezetője. – „Továbbra is mindent megteszünk a skálázási technológiák innovációjának érdekében, hogy vásárlóink számára kiemelkedő, teljes körű megoldásokat nyújthassunk.”
A Samsung új 10 nanométeres FinFET technológiája (10LPE) olyan fejlett,
3D
tranzisztorszerkezetet alkalmaz, amely a feldolgozási technológia és a design területén egyaránt előrelépést jelent a 14 nanométeres elődhöz képest, így 30 százalékkal hatékonyabb területkihasználtság mellett 27 százalékkal nagyobb teljesítmény és 40 százalékkal alacsonyabb energiafogyasztás érhető el. A méretezési korlátok áttöréséhez olyan csúcstechnológiák alkalmazása szükséges, mint például a kétirányú útvonal-választást lehetővé tévő tripla mintasűrűség; ezek az előző architektúrák kialakítási és útvonal-választási rugalmasságát is megőrzik.A Samsung első generációs 10 nanométeres technológiájának (10LPE) bemutatását követően a teljesítménynövekedést jelentő második generáció (10LPP) tömeggyártása a tervek szerint 2017 második felében indul. A széles körben alkalmazható származékos technológiák alkalmazásával a vállalat továbbra is vezető pozíciójának erősítésére törekszik, hogy kielégítse a széleskörű használat iránti igényt.
Az ügyfelekkel és a partnerekkel való szoros együttműködés keretein belül a Samsung célja emellett egy olyan masszív 10 nanométeres félvezetőgyártói ökoszisztéma létrehozása, amely többek között kiterjed a referenciaáramlás-ellenőrzésre,
IP
-kre és könyvtárakra is.A termelési szintű tervezőkészletek (PDK) és
IP
tervezőkészletek már jelenleg is elérhetők.A 10 nanométeres technológiájú egylapkás rendszerek a következő év elejétől kerülnek felhasználásra a digitális eszközökben, és 2017 folyamán várhatóan széles körben is elterjednek.
